Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН, Новосибирск) объявил о разработке прототипов мемристоров (элементов памяти) для крупномасштабных энергонезависимых матриц памяти, сообщает пресс-служба ИФП.
Эти мемристоры представляют собой новое решение для компьютерной памяти, сочетающее в себе энергонезависимость, как у флэш-памяти или жестких дисков, высокую скорость работы, характерную для оперативной памяти, и способность хранить большие объемы информации. В резистивной памяти данные кодируются посредством изменения электрического сопротивления.
Мемристор, ключевой компонент такой памяти, представляет собой систему металл-диэлектрик-металл, в которой тонкий диэлектрический слой претерпевает обратимые изменения сопротивления при подаче импульса напряжения переключения. Это происходит за счет образования и растворения тонкого проводящего канала (нити) внутри диэлектрического слоя.
Ученые ISP успешно разработали мемристоры на основе обедненных кислородом оксидов (субоксидов) тантала, циркония и гафния.
В докладе подчеркивается экономическая эффективность использования этих оксидных соединений в кремниевой технологии, что гарантирует, что мемристоры на их основе не требуют высоких затрат на внедрение.
Кроме того, на основе оксида тантала, обедненного кислородом, возможно создание многоуровневых запоминающих устройств.
Образцы были синтезированы методом ионно-лучевого распыления-осаждения, что позволило сравнительно легко получать тонкие оксидные пленки.
.
